Справочник транзисторов. 2N6029

 

Биполярный транзистор 2N6029 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2N6029
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1000 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
   Корпус транзистора: TO3
 

 Аналог (замена) для 2N6029

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N6029 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:67K  central
2n5629 2n5630 2n6029 2n6030.pdfpdf_icon

2N6029

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824

 ..2. Size:104K  jmnic
2n6029 2n6030.pdfpdf_icon

2N6029

Product Specification www.jmnic.com Silicon PNP Power Transistors 2N6029 2N6030 DESCRIPTION With TO-3 package Complement to type 2N5629 2N5630 APPLICATIONS For high voltage and high power amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Base 2 Emitter3 CollectorFig.1 simplified outline (TO-3) and symbol Absolute maximum ratings(Ta=) SYMBOL PARAMETER CONDITI

 ..3. Size:131K  inchange semiconductor
2n6029 2n6030.pdfpdf_icon

2N6029

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2N6029 2N6030 DESCRIPTION With TO-3 package Complement to type 2N5629 2N5630 High power dissipations APPLICATIONS For high voltage and high power amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Base 2 EmitterFig.1 simplified outline (TO-3) and symbol3 CollectorAbsolute maximum rating

 9.1. Size:120K  motorola
2n6027 2n6028.pdfpdf_icon

2N6029

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby 2N6027/D2N6027Programmable2N6028Unijunction TransistorsSilicon Programmable Unijunction Transistors. . . designed to enable the engineer to program unijunction characteristics such asPUTsRBB, , IV, and IP by merely selecting two resistor values. Application includes40 VOLTSthyristor-trigger, oscillator,

Другие транзисторы... 2N6016 , 2N6017 , 2N602 , 2N6021 , 2N6022 , 2N6024 , 2N6025 , 2N6026 , 13009 , 2N602A , 2N603 , 2N6030 , 2N6031 , 2N6032 , 2N6033 , 2N6034 , 2N6035 .

History: LBC817-40DMT1G | 2SB589 | 2N6043 | 2SC1066 | 2N77

 

 
Back to Top

 


 
.