KRC822U - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: KRC822U
Маркировка: YB
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
Корпус транзистора: US6
KRC822U Datasheet (PDF)
krc827e-krc829e.pdf
SEMICONDUCTOR KRC827E KRC829E EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR TECHNICAL DATA SWITCHING APPLICATION. B INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B1 FEATURES With Built-in Bias Resistors. 1 6 DIM MILLIMETERS _ A 1.6 + 0.05 Simplify Circuit Design. _ A1 1.0 + 0.05 2 5 _ B 1.6 + 0.05 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. _ B1 1.2 + 0.05 High Packing De
krc827f-krc829f.pdf
SEMICONDUCTOR KRC827F KRC829F EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR TECHNICAL DATA SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B B1 FEATURES 1 6 With Built-in Bias Resistors. DIM MILLIMETERS Simplify Circuit Design. _ 2 5 + A 1.0 0.05 _ + A1 0.7 0.05 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. _ + B 1.0 0.05 3 _ + High Packing
krc821e-krc826e.pdf
SEMICONDUCTOR KRC821E KRC826E TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B B1 FEATURES With Built-in Bias Resistors. 1 6 DIM MILLIMETERS Simplify Circuit Design. _ A 1.6 + 0.05 _ A1 1.0 + 0.05 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. 5 2 _ B 1.6 + 0.05 _ B1 1.2 + 0.05 High Packing Densit
krc821f-krc824f.pdf
SEMICONDUCTOR KRC821F KRC824F TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B B1 FEATURES With Built-in Bias Resistors. 1 6 Simplify Circuit Design. DIM MILLIMETERS _ 2 5 + A 1.0 0.05 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. _ + A1 0.7 0.05 _ + B 1.0 0.05 High Packing Density.
Другие транзисторы... KRC684T , KRC685T , KRC686T , KRC821E , KRC821F , KRC821U , KRC822E , KRC822F , 2SC4793 , KRC823E , KRC823F , KRC823U , KRC824E , KRC824F , KRC824U , KRC825E , KRC825U .
History: BFV50 | DRA9A23Y | FJAF6810 | 2SD1783 | JF494 | BCR523U | 2SC3041
History: BFV50 | DRA9A23Y | FJAF6810 | 2SD1783 | JF494 | BCR523U | 2SC3041
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
c1740 transistor | c828 transistor | c4467 | c2383 transistor | 2n3055 equivalent | s9015 datasheet | 2n6488 | 30j127 datasheet







