KRC824F datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KRC824F  📄📄 

Маркировка: ND

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.05 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: TFS6

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KRC824F

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KRC824F даташит

 0.1. Size:512K  kec
 krc821f-krc824f.pdf pdf_icon

KRC824F

SEMICONDUCTOR KRC821F KRC824F TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B B1 FEATURES With Built-in Bias Resistors. 1 6 Simplify Circuit Design. DIM MILLIMETERS _ 2 5 + A 1.0 0.05 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. _ + A1 0.7 0.05 _ + B 1.0 0.05 High Packing Density.

 9.1. Size:49K  kec
 krc827e-krc829e.pdf pdf_icon

KRC824F

SEMICONDUCTOR KRC827E KRC829E EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR TECHNICAL DATA SWITCHING APPLICATION. B INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B1 FEATURES With Built-in Bias Resistors. 1 6 DIM MILLIMETERS _ A 1.6 + 0.05 Simplify Circuit Design. _ A1 1.0 + 0.05 2 5 _ B 1.6 + 0.05 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. _ B1 1.2 + 0.05 High Packing De

 9.2. Size:391K  kec
 krc827f-krc829f.pdf pdf_icon

KRC824F

SEMICONDUCTOR KRC827F KRC829F EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR TECHNICAL DATA SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B B1 FEATURES 1 6 With Built-in Bias Resistors. DIM MILLIMETERS Simplify Circuit Design. _ 2 5 + A 1.0 0.05 _ + A1 0.7 0.05 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. _ + B 1.0 0.05 3 _ + High Packing

 9.3. Size:72K  kec
 krc821e-krc826e.pdf pdf_icon

KRC824F

SEMICONDUCTOR KRC821E KRC826E TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B B1 FEATURES With Built-in Bias Resistors. 1 6 DIM MILLIMETERS Simplify Circuit Design. _ A 1.6 + 0.05 _ A1 1.0 + 0.05 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. 5 2 _ B 1.6 + 0.05 _ B1 1.2 + 0.05 High Packing Densit

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: KRC821U, KRC822E, KRC822F, KRC822U, KRC823E, KRC823F, KRC823U, KRC824E, B772, KRC824U, KRC825E, KRC825U, KRC826E, KRC826U, KRC827E, KRC827F, KRC827U