KRC829U datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KRC829U  📄📄 

Маркировка: YJ

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 22 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 2.1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: US6

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KRC829U

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KRC829U даташит

 0.1. Size:50K  kec
krc827u-krc829u.pdfpdf_icon

KRC829U

SEMICONDUCTOR KRC827U KRC829U TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B B1 FEATURES With Built-in Bias Resistors. DIM MILLIMETERS 1 6 _ A 2.00 + 0.20 Simplify Circuit Design. _ 2 5 A1 1.3 + 0.1 _ B 2.1 + 0.1 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. 3 4 D _ B1 1.25 + 0.1 High Packin

 8.1. Size:49K  kec
krc827e-krc829e.pdfpdf_icon

KRC829U

SEMICONDUCTOR KRC827E KRC829E EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR TECHNICAL DATA SWITCHING APPLICATION. B INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B1 FEATURES With Built-in Bias Resistors. 1 6 DIM MILLIMETERS _ A 1.6 + 0.05 Simplify Circuit Design. _ A1 1.0 + 0.05 2 5 _ B 1.6 + 0.05 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. _ B1 1.2 + 0.05 High Packing De

 8.2. Size:391K  kec
krc827f-krc829f.pdfpdf_icon

KRC829U

SEMICONDUCTOR KRC827F KRC829F EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR TECHNICAL DATA SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B B1 FEATURES 1 6 With Built-in Bias Resistors. DIM MILLIMETERS Simplify Circuit Design. _ 2 5 + A 1.0 0.05 _ + A1 0.7 0.05 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. _ + B 1.0 0.05 3 _ + High Packing

Другие транзисторы: KRC827E, KRC827F, KRC827U, KRC828E, KRC828F, KRC828U, KRC829E, KRC829F, 9014, KRC830E, KRC830F, KRC830U, KRC831E, KRC831F, KRC831U, KRC832E, KRC832U