KRC830E - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

KRC830E - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: KRC830E
   Маркировка: YK
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
   Корпус транзистора: TES6

 Аналоги (замена) для KRC830E

 

KRC830E Datasheet (PDF)

 0.1. Size:51K  kec
krc830e-krc834e.pdfpdf_icon

KRC830E

SEMICONDUCTOR KRC830E KRC834E EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR TECHNICAL DATA SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B B1 FEATURES With Built-in Bias Resistors. 1 6 DIM MILLIMETERS Simplify Circuit Design. _ A 1.6 + 0.05 _ A1 1.0 + 0.05 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. 5 2 _ B 1.6 + 0.05 _ B1 1.2 + 0.05 High Packing Densi

 8.1. Size:51K  kec
krc830u-krc834u.pdfpdf_icon

KRC830E

SEMICONDUCTOR KRC830U KRC834U EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR TECHNICAL DATA SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B FEATURES B1 With Built-in Bias Resistors. DIM MILLIMETERS 1 6 _ Simplify Circuit Design. A 2.00 + 0.20 _ 2 5 A1 1.3 + 0.1 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. _ B 2.1 + 0.1 3 4 D _ B1 1.25 + 0.1 High Packin

 8.2. Size:395K  kec
krc830f-krc834f.pdfpdf_icon

KRC830E

SEMICONDUCTOR KRC830F KRC834F EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR TECHNICAL DATA SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B B1 FEATURES With Built-in Bias Resistors. 1 6 Simplify Circuit Design. DIM MILLIMETERS _ 2 5 + A 1.0 0.05 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. _ + A1 0.7 0.05 _ + B 1.0 0.05 High Packing Density.

Другие транзисторы... KRC827F , KRC827U , KRC828E , KRC828F , KRC828U , KRC829E , KRC829F , KRC829U , TIP42 , KRC830F , KRC830U , KRC831E , KRC831F , KRC831U , KRC832E , KRC832U , KRC833E .

History: DNLS160V | 2SA813 | BU361 | CHDTC124TKGP

 

 
Back to Top

 


 
.