KRC834E datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KRC834E  📄📄 

Маркировка: YP

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: TES6

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KRC834E

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KRC834E даташит

 0.1. Size:51K  kec
 krc830e-krc834e.pdf pdf_icon

KRC834E

SEMICONDUCTOR KRC830E KRC834E EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR TECHNICAL DATA SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B B1 FEATURES With Built-in Bias Resistors. 1 6 DIM MILLIMETERS Simplify Circuit Design. _ A 1.6 + 0.05 _ A1 1.0 + 0.05 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. 5 2 _ B 1.6 + 0.05 _ B1 1.2 + 0.05 High Packing Densi

 8.1. Size:51K  kec
 krc830u-krc834u.pdf pdf_icon

KRC834E

SEMICONDUCTOR KRC830U KRC834U EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR TECHNICAL DATA SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B FEATURES B1 With Built-in Bias Resistors. DIM MILLIMETERS 1 6 _ Simplify Circuit Design. A 2.00 + 0.20 _ 2 5 A1 1.3 + 0.1 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. _ B 2.1 + 0.1 3 4 D _ B1 1.25 + 0.1 High Packin

 8.2. Size:395K  kec
 krc830f-krc834f.pdf pdf_icon

KRC834E

SEMICONDUCTOR KRC830F KRC834F EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR TECHNICAL DATA SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B B1 FEATURES With Built-in Bias Resistors. 1 6 Simplify Circuit Design. DIM MILLIMETERS _ 2 5 + A 1.0 0.05 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. _ + A1 0.7 0.05 _ + B 1.0 0.05 High Packing Density.

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: KRC831E, KRC831F, KRC831U, KRC832E, KRC832U, KRC833E, KRC833F, KRC833U, 2222A, KRC834F, KRC834U, KRC836E, KRC836U, KRC837E, KRC837U, KRC838E, KRC838U