Биполярный транзистор KRC836E - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: KRC836E
Маркировка: Y2
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 1 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.1
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 33
Корпус транзистора: TES6
KRC836E Datasheet (PDF)
krc836e-krc842e.pdf
SEMICONDUCTOR KRC836E~KRC842EEPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORTECHNICAL DATASWITCHING APPLICATION.INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION BB1FEATURESWith Built-in Bias Resistors.1 6 DIM MILLIMETERSSimplify Circuit Design. _A 1.6 + 0.05_A1 1.0 + 0.05Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. 52_B 1.6 + 0.05_B1 1.2 + 0.05C 0.503 4_D 0.
krc836u-krc842u.pdf
SEMICONDUCTOR KRC836U~KRC842UEPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORTECHNICAL DATASWITCHING APPLICATION.INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATIONBFEATURESB1With Built-in Bias Resistors.DIM MILLIMETERS1 6_Simplify Circuit Design. A 2.00 + 0.20_2 5 A1 1.3 + 0.1Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process._B 2.1 + 0.13 4 D _B1 1.25 + 0.1C 0.65D 0.2+
krc830e-krc834e.pdf
SEMICONDUCTOR KRC830E~KRC834EEPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORTECHNICAL DATASWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. BB1FEATURESWith Built-in Bias Resistors.1 6 DIM MILLIMETERSSimplify Circuit Design. _A 1.6 + 0.05_A1 1.0 + 0.05Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. 52_B 1.6 + 0.05_B1 1.2 + 0.05High Packing Densi
krc830u-krc834u.pdf
SEMICONDUCTOR KRC830U~KRC834UEPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORTECHNICAL DATASWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. BFEATURESB1With Built-in Bias Resistors.DIM MILLIMETERS1 6_Simplify Circuit Design. A 2.00 + 0.20_2 5 A1 1.3 + 0.1Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process._B 2.1 + 0.13 4 D _B1 1.25 + 0.1High Packin
krc830f-krc834f.pdf
SEMICONDUCTOR KRC830F~KRC834FEPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORTECHNICAL DATASWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. BB1FEATURESWith Built-in Bias Resistors.1 6Simplify Circuit Design. DIM MILLIMETERS_2 5+A 1.0 0.05Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process._+A1 0.7 0.05_+B 1.0 0.05High Packing Density.
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2N3906 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050