KRC836E - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

KRC836E - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: KRC836E
   Маркировка: Y2
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 1 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 33
   Корпус транзистора: TES6

 Аналоги (замена) для KRC836E

 

KRC836E Datasheet (PDF)

 0.1. Size:69K  kec
krc836e-krc842e.pdfpdf_icon

KRC836E

SEMICONDUCTOR KRC836E KRC842E EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR TECHNICAL DATA SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION B B1 FEATURES With Built-in Bias Resistors. 1 6 DIM MILLIMETERS Simplify Circuit Design. _ A 1.6 + 0.05 _ A1 1.0 + 0.05 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. 5 2 _ B 1.6 + 0.05 _ B1 1.2 + 0.05 C 0.50 3 4 _ D 0.

 8.1. Size:69K  kec
krc836u-krc842u.pdfpdf_icon

KRC836E

SEMICONDUCTOR KRC836U KRC842U EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR TECHNICAL DATA SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION B FEATURES B1 With Built-in Bias Resistors. DIM MILLIMETERS 1 6 _ Simplify Circuit Design. A 2.00 + 0.20 _ 2 5 A1 1.3 + 0.1 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. _ B 2.1 + 0.1 3 4 D _ B1 1.25 + 0.1 C 0.65 D 0.2+

 9.1. Size:51K  kec
krc830e-krc834e.pdfpdf_icon

KRC836E

SEMICONDUCTOR KRC830E KRC834E EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR TECHNICAL DATA SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B B1 FEATURES With Built-in Bias Resistors. 1 6 DIM MILLIMETERS Simplify Circuit Design. _ A 1.6 + 0.05 _ A1 1.0 + 0.05 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. 5 2 _ B 1.6 + 0.05 _ B1 1.2 + 0.05 High Packing Densi

 9.2. Size:51K  kec
krc830u-krc834u.pdfpdf_icon

KRC836E

SEMICONDUCTOR KRC830U KRC834U EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR TECHNICAL DATA SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B FEATURES B1 With Built-in Bias Resistors. DIM MILLIMETERS 1 6 _ Simplify Circuit Design. A 2.00 + 0.20 _ 2 5 A1 1.3 + 0.1 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. _ B 2.1 + 0.1 3 4 D _ B1 1.25 + 0.1 High Packin

Другие транзисторы... KRC832E , KRC832U , KRC833E , KRC833F , KRC833U , KRC834E , KRC834F , KRC834U , D965 , KRC836U , KRC837E , KRC837U , KRC838E , KRC838U , KRC839E , KRC839U , KRC840E .

History: ASY75RT | TSA143ZNND03

 

 
Back to Top

 


 
.