KRC846T datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KRC846T  📄📄 

Маркировка: NF

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.22

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 56

Корпус транзистора: TS6

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KRC846T

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KRC846T даташит

 0.1. Size:69K  kec
 krc841t-krc846t.pdf pdf_icon

KRC846T

SEMICONDUCTOR KRC841T KRC846T TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPPLICATION. E K B K FEATURES DIM MILLIMETERS _ With Built-in Bias Resistors. A 2.9 + 0.2 16 B 1.6+0.2/-0.1 Simplify Circuit Design. _ C 0.70 0.05 + 2 5 _ + D 0.4 0.1 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process.

 9.1. Size:69K  kec
 krc836e-krc842e.pdf pdf_icon

KRC846T

SEMICONDUCTOR KRC836E KRC842E EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR TECHNICAL DATA SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION B B1 FEATURES With Built-in Bias Resistors. 1 6 DIM MILLIMETERS Simplify Circuit Design. _ A 1.6 + 0.05 _ A1 1.0 + 0.05 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. 5 2 _ B 1.6 + 0.05 _ B1 1.2 + 0.05 C 0.50 3 4 _ D 0.

 9.2. Size:69K  kec
 krc836u-krc842u.pdf pdf_icon

KRC846T

SEMICONDUCTOR KRC836U KRC842U EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR TECHNICAL DATA SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION B FEATURES B1 With Built-in Bias Resistors. DIM MILLIMETERS 1 6 _ Simplify Circuit Design. A 2.00 + 0.20 _ 2 5 A1 1.3 + 0.1 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. _ B 2.1 + 0.1 3 4 D _ B1 1.25 + 0.1 C 0.65 D 0.2+

Другие транзисторы: KRC841T, KRC841U, KRC842E, KRC842T, KRC842U, KRC843T, KRC844T, KRC845T, D882P, KRC851E, KRC851F, KRC851U, KRC852E, KRC852F, KRC852U, KRC853E, KRC853F