KRC854F datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KRC854F  📄📄 

Маркировка: LD

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.05 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: TFS6

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KRC854F

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KRC854F даташит

 0.1. Size:402K  kec
 krc851f-krc854f.pdf pdf_icon

KRC854F

SEMICONDUCTOR KRC851F KRC854F TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B B1 FEATURES With Built-in Bias Resistors. 1 6 Simplify Circuit Design. DIM MILLIMETERS _ 2 5 + A 1.0 0.05 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. _ + A1 0.7 0.05 _ + B 1.0 0.05 High Packing Density.

 9.1. Size:70K  kec
 krc851u-krc856u.pdf pdf_icon

KRC854F

SEMICONDUCTOR KRC851U KRC856U TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B FEATURES B1 With Built-in Bias Resistors. DIM MILLIMETERS 1 6 _ Simplify Circuit Design. A 2.00 + 0.20 _ 2 5 A1 1.3 + 0.1 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. _ B 2.1 + 0.1 3 4 D _ B1 1.25 + 0.1 High Packing

 9.2. Size:70K  kec
 krc851e-krc856e.pdf pdf_icon

KRC854F

SEMICONDUCTOR KRC851E KRC856E TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B B1 FEATURES With Built-in Bias Resistors. 1 6 DIM MILLIMETERS Simplify Circuit Design. _ A 1.6 + 0.05 _ A1 1.0 + 0.05 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. 5 2 _ B 1.6 + 0.05 _ B1 1.2 + 0.05 High Packin

 9.3. Size:49K  kec
 krc857e-krc859e.pdf pdf_icon

KRC854F

SEMICONDUCTOR KRC857E KRC859E TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. B INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B1 FEATURES With Built-in Bias Resistors. 1 6 DIM MILLIMETERS _ A 1.6 + 0.05 Simplify Circuit Design. _ A1 1.0 + 0.05 2 5 _ B 1.6 + 0.05 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. _ B1 1.2 + 0.05 High Packing Den

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: KRC851U, KRC852E, KRC852F, KRC852U, KRC853E, KRC853F, KRC853U, KRC854E, TIP41C, KRC854U, KRC855E, KRC855U, KRC856E, KRC856U, KRC857E, KRC857F, KRC857U