KRC855U - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

KRC855U - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: KRC855U
   Маркировка: NE
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.047
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
   Корпус транзистора: US6

 Аналоги (замена) для KRC855U

 

KRC855U Datasheet (PDF)

 9.1. Size:70K  kec
krc851u-krc856u.pdfpdf_icon

KRC855U

SEMICONDUCTOR KRC851U KRC856U TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B FEATURES B1 With Built-in Bias Resistors. DIM MILLIMETERS 1 6 _ Simplify Circuit Design. A 2.00 + 0.20 _ 2 5 A1 1.3 + 0.1 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. _ B 2.1 + 0.1 3 4 D _ B1 1.25 + 0.1 High Packing

 9.2. Size:402K  kec
krc851f-krc854f.pdfpdf_icon

KRC855U

SEMICONDUCTOR KRC851F KRC854F TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B B1 FEATURES With Built-in Bias Resistors. 1 6 Simplify Circuit Design. DIM MILLIMETERS _ 2 5 + A 1.0 0.05 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. _ + A1 0.7 0.05 _ + B 1.0 0.05 High Packing Density.

 9.3. Size:70K  kec
krc851e-krc856e.pdfpdf_icon

KRC855U

SEMICONDUCTOR KRC851E KRC856E TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B B1 FEATURES With Built-in Bias Resistors. 1 6 DIM MILLIMETERS Simplify Circuit Design. _ A 1.6 + 0.05 _ A1 1.0 + 0.05 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. 5 2 _ B 1.6 + 0.05 _ B1 1.2 + 0.05 High Packin

 9.4. Size:49K  kec
krc857e-krc859e.pdfpdf_icon

KRC855U

SEMICONDUCTOR KRC857E KRC859E TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. B INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B1 FEATURES With Built-in Bias Resistors. 1 6 DIM MILLIMETERS _ A 1.6 + 0.05 Simplify Circuit Design. _ A1 1.0 + 0.05 2 5 _ B 1.6 + 0.05 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. _ B1 1.2 + 0.05 High Packing Den

Другие транзисторы... KRC852U , KRC853E , KRC853F , KRC853U , KRC854E , KRC854F , KRC854U , KRC855E , 2N2222 , KRC856E , KRC856U , KRC857E , KRC857F , KRC857U , KRC858E , KRC858F , KRC858U .

History: BFX50 | DMA20403 | ERS250 | 2SD1783 | JF494 | 2SC1934F | 2SD1878

 

 
Back to Top

 


 
.