KRC860U datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KRC860U  📄📄 

Маркировка: NK

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: US6

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KRC860U

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KRC860U даташит

 0.1. Size:51K  kec
 krc860u-krc864u.pdf pdf_icon

KRC860U

SEMICONDUCTOR KRC860U KRC864U EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR TECHNICAL DATA SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B FEATURES B1 With Built-in Bias Resistors. DIM MILLIMETERS 1 6 _ Simplify Circuit Design. A 2.00 + 0.20 _ 2 5 A1 1.3 + 0.1 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. _ B 2.1 + 0.1 3 4 D _ B1 1.25 + 0.1 High Packin

 8.1. Size:387K  kec
 krc860f-krc864f.pdf pdf_icon

KRC860U

SEMICONDUCTOR KRC860F KRC864F EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR TECHNICAL DATA SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B B1 FEATURES With Built-in Bias Resistors. 1 6 Simplify Circuit Design. DIM MILLIMETERS _ 2 5 + A 1.0 0.05 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. _ + A1 0.7 0.05 _ + B 1.0 0.05 High Packing Density.

 8.2. Size:51K  kec
 krc860e-krc864e.pdf pdf_icon

KRC860U

SEMICONDUCTOR KRC860E KRC864E EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR TECHNICAL DATA SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B B1 FEATURES With Built-in Bias Resistors. 1 6 DIM MILLIMETERS Simplify Circuit Design. _ A 1.6 + 0.05 _ A1 1.0 + 0.05 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. 5 2 _ B 1.6 + 0.05 _ B1 1.2 + 0.05 High Packing Densi

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: KRC858E, KRC858F, KRC858U, KRC859E, KRC859F, KRC859U, KRC860E, KRC860F, 13007, KRC861E, KRC861F, KRC861U, KRC862E, KRC862U, KRC863E, KRC863F, KRC863U