Справочник транзисторов. KRC861E

 

Биполярный транзистор KRC861E Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: KRC861E
   Маркировка: NM
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
   Корпус транзистора: TES6
 

 Аналог (замена) для KRC861E

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KRC861E Datasheet (PDF)

 9.1. Size:68K  kec
 krc866e-krc872e.pdf pdf_icon

KRC861E

SEMICONDUCTOR KRC866E~KRC872EEPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORTECHNICAL DATASWITCHING APPLICATION.INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION BB1FEATURESWith Built-in Bias Resistors.1 6 DIM MILLIMETERSSimplify Circuit Design. _A 1.6 + 0.05_A1 1.0 + 0.05Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. 52_B 1.6 + 0.05_B1 1.2 + 0.05C 0.503 4_D 0.

 9.2. Size:387K  kec
 krc860f-krc864f.pdf pdf_icon

KRC861E

SEMICONDUCTOR KRC860F~KRC864FEPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORTECHNICAL DATASWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. BB1FEATURES With Built-in Bias Resistors.1 6Simplify Circuit Design. DIM MILLIMETERS_2 5+A 1.0 0.05Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process._+A1 0.7 0.05_+B 1.0 0.05High Packing Density.

 9.3. Size:428K  kec
 krc866e-krc872e 1.pdf pdf_icon

KRC861E

SEMICONDUCTOR KRC866E~KRC872EEPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORTECHNICAL DATASWITCHING APPLICATION.INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION BB1FEATURESWith Built-in Bias Resistors.1 6 DIM MILLIMETERSSimplify Circuit Design. _A 1.6 + 0.05_A1 1.0 + 0.05Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. 52_B 1.6 + 0.05_B1 1.2 + 0.05C 0.503 4_

 9.4. Size:51K  kec
 krc860e-krc864e.pdf pdf_icon

KRC861E

SEMICONDUCTOR KRC860E~KRC864EEPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORTECHNICAL DATASWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. BB1FEATURESWith Built-in Bias Resistors.1 6 DIM MILLIMETERSSimplify Circuit Design. _A 1.6 + 0.05_A1 1.0 + 0.05Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. 52_B 1.6 + 0.05_B1 1.2 + 0.05High Packing Densi

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... KRC858F , KRC858U , KRC859E , KRC859F , KRC859U , KRC860E , KRC860F , KRC860U , 2SD718 , KRC861F , KRC861U , KRC862E , KRC862U , KRC863E , KRC863F , KRC863U , KRC864E .

History: MJE13003DK3 | KMBTA05 | 2SC2347 | MPS2218A

 

 
Back to Top

 


 
.