KRC861F - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

KRC861F - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: KRC861F
   Маркировка: LL
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.05 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.2 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 300
   Корпус транзистора: TFS6

 Аналоги (замена) для KRC861F

 

KRC861F Datasheet (PDF)

 9.1. Size:68K  kec
krc866e-krc872e.pdfpdf_icon

KRC861F

SEMICONDUCTOR KRC866E KRC872E EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR TECHNICAL DATA SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION B B1 FEATURES With Built-in Bias Resistors. 1 6 DIM MILLIMETERS Simplify Circuit Design. _ A 1.6 + 0.05 _ A1 1.0 + 0.05 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. 5 2 _ B 1.6 + 0.05 _ B1 1.2 + 0.05 C 0.50 3 4 _ D 0.

 9.2. Size:387K  kec
krc860f-krc864f.pdfpdf_icon

KRC861F

SEMICONDUCTOR KRC860F KRC864F EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR TECHNICAL DATA SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B B1 FEATURES With Built-in Bias Resistors. 1 6 Simplify Circuit Design. DIM MILLIMETERS _ 2 5 + A 1.0 0.05 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. _ + A1 0.7 0.05 _ + B 1.0 0.05 High Packing Density.

 9.3. Size:428K  kec
krc866e-krc872e 1.pdfpdf_icon

KRC861F

SEMICONDUCTOR KRC866E KRC872E EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR TECHNICAL DATA SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION B B1 FEATURES With Built-in Bias Resistors. 1 6 DIM MILLIMETERS Simplify Circuit Design. _ A 1.6 + 0.05 _ A1 1.0 + 0.05 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. 5 2 _ B 1.6 + 0.05 _ B1 1.2 + 0.05 C 0.50 3 4 _

 9.4. Size:51K  kec
krc860e-krc864e.pdfpdf_icon

KRC861F

SEMICONDUCTOR KRC860E KRC864E EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR TECHNICAL DATA SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B B1 FEATURES With Built-in Bias Resistors. 1 6 DIM MILLIMETERS Simplify Circuit Design. _ A 1.6 + 0.05 _ A1 1.0 + 0.05 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. 5 2 _ B 1.6 + 0.05 _ B1 1.2 + 0.05 High Packing Densi

Другие транзисторы... KRC858U , KRC859E , KRC859F , KRC859U , KRC860E , KRC860F , KRC860U , KRC861E , TIP3055 , KRC861U , KRC862E , KRC862U , KRC863E , KRC863F , KRC863U , KRC864E , KRC864F .

History: ASY13-2

 

 
Back to Top

 


 
.