KRC864F datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KRC864F  📄📄 

Маркировка: LP

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.05 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.2 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 300

Корпус транзистора: TFS6

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KRC864F

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KRC864F даташит

 0.1. Size:387K  kec
krc860f-krc864f.pdfpdf_icon

KRC864F

SEMICONDUCTOR KRC860F KRC864F EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR TECHNICAL DATA SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B B1 FEATURES With Built-in Bias Resistors. 1 6 Simplify Circuit Design. DIM MILLIMETERS _ 2 5 + A 1.0 0.05 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. _ + A1 0.7 0.05 _ + B 1.0 0.05 High Packing Density.

 8.1. Size:51K  kec
krc860e-krc864e.pdfpdf_icon

KRC864F

SEMICONDUCTOR KRC860E KRC864E EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR TECHNICAL DATA SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B B1 FEATURES With Built-in Bias Resistors. 1 6 DIM MILLIMETERS Simplify Circuit Design. _ A 1.6 + 0.05 _ A1 1.0 + 0.05 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. 5 2 _ B 1.6 + 0.05 _ B1 1.2 + 0.05 High Packing Densi

 8.2. Size:51K  kec
krc860u-krc864u.pdfpdf_icon

KRC864F

SEMICONDUCTOR KRC860U KRC864U EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR TECHNICAL DATA SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B FEATURES B1 With Built-in Bias Resistors. DIM MILLIMETERS 1 6 _ Simplify Circuit Design. A 2.00 + 0.20 _ 2 5 A1 1.3 + 0.1 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. _ B 2.1 + 0.1 3 4 D _ B1 1.25 + 0.1 High Packin

Другие транзисторы: KRC861F, KRC861U, KRC862E, KRC862U, KRC863E, KRC863F, KRC863U, KRC864E, 2N2222A, KRC864U, KRC866E, KRC866U, KRC867E, KRC867U, KRC868E, KRC868U, KRC869E