Биполярный транзистор KRC882T - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: KRC882T
Маркировка: MRB
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 25 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.8 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 350
Корпус транзистора: TS6
KRC882T Datasheet (PDF)
9.1. Size:386K kec
krc881t-krc886t.pdf
krc881t-krc886t.pdf
SEMICONDUCTOR KRC881T~KRC886TTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORSWITCHING APPLICATION. AUDIO MUTING APPLICATION.EK B KFEATURES DIM MILLIMETERS_High emitter-base voltage : VEBO=25V(Min) A 2.9 + 0.216B 1.6+0.2/-0.1High reverse hFE : reverse hFE=150(Typ.) (VCE=-2V, IC=-4mA)_C 0.70 0.05+2 5_+D 0.4 0.1Low on resistance : Ron=1 (Typ.) (IB=5mA)E 2.8
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050