KRC231M datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KRC231M  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: TO-92M

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KRC231M

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KRC231M даташит

 0.1. Size:73K  kec
 krc231m-krc235m.pdf pdf_icon

KRC231M

SEMICONDUCTOR KRC231M KRC235M TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. AUDIO MUTING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER B CIRCUIT APPLICATION. DIM MILLIMETERS O FEATURES A 3.20 MAX H M B 4.30 MAX With Built-in Bias Resistors. C 0.55 MAX _ Simplify Circuit Design. D 2.40 + 0.15 E 1.27 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process.

 0.2. Size:484K  kec
 krc231m-krc235m 1.pdf pdf_icon

KRC231M

SEMICONDUCTOR KRC231M KRC235M TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. AUDIO MUTING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER B CIRCUIT APPLICATION. DIM MILLIMETERS O FEATURES A 3.20 MAX H M B 4.30 MAX With Built-in Bias Resistors. C 0.55 MAX _ Simplify Circuit Design. D 2.40 + 0.15 E 1.27 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Proces

 8.1. Size:374K  kec
 krc231s-krc235s.pdf pdf_icon

KRC231M

SEMICONDUCTOR KRC231S KRC235S TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. AUDIO MUTING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER E L B L CIRCUIT APPLICATION. DIM MILLIMETERS _ + A 2.93 0.20 B 1.30+0.20/-0.15 FEATURES C 1.30 MAX 2 3 D 0.40+0.15/-0.05 With Built-in Bias Resistors. E 2.40+0.30/-0.20 1 G 1.90 Simplify Circuit Design. H 0.95 R

 8.2. Size:952K  kexin
 krc231s.pdf pdf_icon

KRC231M

SMD Type Transistors NPN Transistors KRC231S KRC235S SOT-23 Unit mm +0.1 2.9 -0.1 +0.1 0.4 -0.1 3 Features With Built-in Bias Resistors. C Simplify Circuit Design. 1 2 +0.1 +0.05 0.95-0.1 0.1-0.01 R 1 +0.1 1.9-0.1 B 1.Base 2.Emitter E 3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO 30 C

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: KTX211U, KTX212E, KTX212U, KTX213E, KTX213U, KTX214E, KTX214U, KTX215U, TIP120, KRC231S, KRC232M, KRC232S, KRC233M, KRC233S, KRC234S, KRC235M, KRC235S