Биполярный транзистор KRC232S - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: KRC232S
Маркировка: NY
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 5.6 kOhm
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
Корпус транзистора: SOT-23
KRC232S Datasheet (PDF)
krc231m-krc235m.pdf
SEMICONDUCTOR KRC231M~KRC235MTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORSWITCHING APPLICATION.AUDIO MUTING APPLICATION.INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER BCIRCUIT APPLICATION. DIM MILLIMETERSOFEATURESA 3.20 MAXHM B 4.30 MAX With Built-in Bias Resistors.C 0.55 MAX_ Simplify Circuit Design. D 2.40 + 0.15E 1.27 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process.
krc231m-krc235m 1.pdf
SEMICONDUCTOR KRC231M~KRC235MTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORSWITCHING APPLICATION.AUDIO MUTING APPLICATION.INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER BCIRCUIT APPLICATION. DIM MILLIMETERSOFEATURESA 3.20 MAXHM B 4.30 MAXWith Built-in Bias Resistors.C 0.55 MAX_Simplify Circuit Design. D 2.40 + 0.15E 1.27Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Proces
krc231s-krc235s.pdf
SEMICONDUCTOR KRC231S~KRC235STECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORSWITCHING APPLICATION.AUDIO MUTING APPLICATION.INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER EL B LCIRCUIT APPLICATION. DIM MILLIMETERS_+A 2.93 0.20B 1.30+0.20/-0.15FEATURESC 1.30 MAX23 D 0.40+0.15/-0.05With Built-in Bias Resistors.E 2.40+0.30/-0.201G 1.90Simplify Circuit Design.H 0.95R
krc231s.pdf
SMD Type TransistorsNPN TransistorsKRC231S ~ KRC235SSOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4 -0.13 Features With Built-in Bias Resistors.C Simplify Circuit Design.1 2+0.1+0.050.95-0.1 0.1-0.01R 1+0.11.9-0.1B1.Base2.EmitterE 3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO 30 C
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2N3906 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050