Справочник транзисторов. KRC281S

 

Биполярный транзистор KRC281S Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: KRC281S
   Маркировка: MQB
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 25 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.8 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 350
   Корпус транзистора: SOT-23
 

 Аналог (замена) для KRC281S

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KRC281S Datasheet (PDF)

 0.1. Size:357K  kec
krc281s-krc286s.pdfpdf_icon

KRC281S

SEMICONDUCTOR KRC281S~KRC286STECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORSWITCHING APPLICATION. AUDIO MUTING APPLICATION.EL B LFEATURES DIM MILLIMETERSHigh emitter-base voltage : VEBO=25V(Min) _+A 2.93 0.20B 1.30+0.20/-0.15High reverse hFE : reverse hFE=150(Typ.) (VCE=-2V, IC=-4mA)C 1.30 MAX23 D 0.40+0.15/-0.05Low on resistance : Ron=1(Typ.) (IB=5mA)

 8.1. Size:380K  kec
krc281m-krc286m.pdfpdf_icon

KRC281S

SEMICONDUCTOR KRC281M~KRC286MTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORSWITCHING APPLICATION. AUDIO MUTING APPLICATION.BFEATURES High emitter-base voltage : VEBO=25V(Min)High reverse hFE : reverse hFE=150(Typ.) (VCE=-2V, IC=-4mA)DIM MILLIMETERSOA 3.20 MAXLow on resistance : Ron=1 (Typ.) (IB=5mA)HM B 4.30 MAXC 0.55 MAXWith Built-in Bias Resistors._D 2.40 + 0

 8.2. Size:26K  kec
krc281u-krc286u.pdfpdf_icon

KRC281S

SEMICONDUCTOR KRC281U~KRC286UTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORSWITCHING APPLICATION. AUDIO MUTING APPLICATION.FEATURES EHigh emitter-base voltage : VEBO=25V(Min)M B MHigh reverse hFE : reverse hFE=150(Typ.) (VCE=-2V, IC=-4mA)DIM MILLIMETERS_+A 2.00 0.20Low on resistance : Ron=1(Typ.) (IB=5mA)D2 _B 1.25 + 0.15With Built-in Bias Resistors.

Другие транзисторы... KRC232M , KRC232S , KRC233M , KRC233S , KRC234S , KRC235M , KRC235S , KRC281M , 2N5551 , KRC281U , KRC282M , KRC282S , KRC282U , KRC283M , KRC283S , KRC283U , KRC284M .

 

 
Back to Top

 


 
.