Справочник транзисторов. KRC282M

 

Биполярный транзистор KRC282M - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: KRC282M
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 25 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.8 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 350
   Корпус транзистора: TO-92M

 Аналоги (замена) для KRC282M

 

 

KRC282M Datasheet (PDF)

 9.1. Size:380K  kec
 krc281m-krc286m.pdf

KRC282M KRC282M

SEMICONDUCTOR KRC281M~KRC286MTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORSWITCHING APPLICATION. AUDIO MUTING APPLICATION.BFEATURES High emitter-base voltage : VEBO=25V(Min)High reverse hFE : reverse hFE=150(Typ.) (VCE=-2V, IC=-4mA)DIM MILLIMETERSOA 3.20 MAXLow on resistance : Ron=1 (Typ.) (IB=5mA)HM B 4.30 MAXC 0.55 MAXWith Built-in Bias Resistors._D 2.40 + 0

 9.2. Size:357K  kec
 krc281s-krc286s.pdf

KRC282M KRC282M

SEMICONDUCTOR KRC281S~KRC286STECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORSWITCHING APPLICATION. AUDIO MUTING APPLICATION.EL B LFEATURES DIM MILLIMETERSHigh emitter-base voltage : VEBO=25V(Min) _+A 2.93 0.20B 1.30+0.20/-0.15High reverse hFE : reverse hFE=150(Typ.) (VCE=-2V, IC=-4mA)C 1.30 MAX23 D 0.40+0.15/-0.05Low on resistance : Ron=1(Typ.) (IB=5mA)

 9.3. Size:26K  kec
 krc281u-krc286u.pdf

KRC282M KRC282M

SEMICONDUCTOR KRC281U~KRC286UTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORSWITCHING APPLICATION. AUDIO MUTING APPLICATION.FEATURES EHigh emitter-base voltage : VEBO=25V(Min)M B MHigh reverse hFE : reverse hFE=150(Typ.) (VCE=-2V, IC=-4mA)DIM MILLIMETERS_+A 2.00 0.20Low on resistance : Ron=1(Typ.) (IB=5mA)D2 _B 1.25 + 0.15With Built-in Bias Resistors.

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: ZXTN25020DFH

 

 
Back to Top