KRC286U datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KRC286U  📄📄 

Маркировка: MV

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 22 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 25 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.8 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 350

Корпус транзистора: USM

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KRC286U

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KRC286U даташит

 0.1. Size:26K  kec
 krc281u-krc286u.pdf pdf_icon

KRC286U

SEMICONDUCTOR KRC281U KRC286U TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. AUDIO MUTING APPLICATION. FEATURES E High emitter-base voltage VEBO=25V(Min) M B M High reverse hFE reverse hFE=150(Typ.) (VCE=-2V, IC=-4mA) DIM MILLIMETERS _ + A 2.00 0.20 Low on resistance Ron=1 (Typ.) (IB=5mA) D 2 _ B 1.25 + 0.15 With Built-in Bias Resistors.

 8.1. Size:380K  kec
 krc281m-krc286m.pdf pdf_icon

KRC286U

SEMICONDUCTOR KRC281M KRC286M TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. AUDIO MUTING APPLICATION. B FEATURES High emitter-base voltage VEBO=25V(Min) High reverse hFE reverse hFE=150(Typ.) (VCE=-2V, IC=-4mA) DIM MILLIMETERS O A 3.20 MAX Low on resistance Ron=1 (Typ.) (IB=5mA) H M B 4.30 MAX C 0.55 MAX With Built-in Bias Resistors. _ D 2.40 + 0

 8.2. Size:357K  kec
 krc281s-krc286s.pdf pdf_icon

KRC286U

SEMICONDUCTOR KRC281S KRC286S TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. AUDIO MUTING APPLICATION. E L B L FEATURES DIM MILLIMETERS High emitter-base voltage VEBO=25V(Min) _ + A 2.93 0.20 B 1.30+0.20/-0.15 High reverse hFE reverse hFE=150(Typ.) (VCE=-2V, IC=-4mA) C 1.30 MAX 2 3 D 0.40+0.15/-0.05 Low on resistance Ron=1 (Typ.) (IB=5mA)

Другие транзисторы: KRC284M, KRC284S, KRC284U, KRC285M, KRC285S, KRC285U, KRC286M, KRC286S, 13007, KRA221M, KRA221S, KRA222S, KRA223S, KRA224S, KRA225S, KRA226S, KRC241M