Справочник транзисторов. KRC286U

 

Биполярный транзистор KRC286U - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: KRC286U
   Маркировка: MV
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 22 kOhm
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 25 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.8 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 350
   Корпус транзистора: USM

 Аналоги (замена) для KRC286U

 

 

KRC286U Datasheet (PDF)

 0.1. Size:26K  kec
 krc281u-krc286u.pdf

KRC286U KRC286U

SEMICONDUCTOR KRC281U~KRC286UTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORSWITCHING APPLICATION. AUDIO MUTING APPLICATION.FEATURES EHigh emitter-base voltage : VEBO=25V(Min)M B MHigh reverse hFE : reverse hFE=150(Typ.) (VCE=-2V, IC=-4mA)DIM MILLIMETERS_+A 2.00 0.20Low on resistance : Ron=1(Typ.) (IB=5mA)D2 _B 1.25 + 0.15With Built-in Bias Resistors.

 8.1. Size:380K  kec
 krc281m-krc286m.pdf

KRC286U KRC286U

SEMICONDUCTOR KRC281M~KRC286MTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORSWITCHING APPLICATION. AUDIO MUTING APPLICATION.BFEATURES High emitter-base voltage : VEBO=25V(Min)High reverse hFE : reverse hFE=150(Typ.) (VCE=-2V, IC=-4mA)DIM MILLIMETERSOA 3.20 MAXLow on resistance : Ron=1 (Typ.) (IB=5mA)HM B 4.30 MAXC 0.55 MAXWith Built-in Bias Resistors._D 2.40 + 0

 8.2. Size:357K  kec
 krc281s-krc286s.pdf

KRC286U KRC286U

SEMICONDUCTOR KRC281S~KRC286STECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORSWITCHING APPLICATION. AUDIO MUTING APPLICATION.EL B LFEATURES DIM MILLIMETERSHigh emitter-base voltage : VEBO=25V(Min) _+A 2.93 0.20B 1.30+0.20/-0.15High reverse hFE : reverse hFE=150(Typ.) (VCE=-2V, IC=-4mA)C 1.30 MAX23 D 0.40+0.15/-0.05Low on resistance : Ron=1(Typ.) (IB=5mA)

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D209L , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: D33D21

 

 
Back to Top