Биполярный транзистор KRA223S Даташит. Аналоги
Наименование производителя: KRA223S
Маркировка: PS
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 4.7 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 47
Корпус транзистора: SOT-23
Аналог (замена) для KRA223S
KRA223S Datasheet (PDF)
kra221m-kra226m.pdf

SEMICONDUCTOR KRA221M~KRA226MTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORHIGH CURRENT SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. BFEATURES With Built-in Bias Resistors.DIM MILLIMETERSOSimplify Circuit Design.A 3.20 MAXHM B 4.30 MAXReduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process.C 0.55 MAX_D 2.40 + 0.15High Output Current :-8
kra222s-kra226s.pdf

SEMICONDUCTOR KRA222S~KRA226STECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORHIGH CURRENT SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. FEATURES EWith Built-in Bias Resistors. L B LDIM MILLIMETERSSimplify Circuit Design._+A 2.93 0.20B 1.30+0.20/-0.15Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process.C 1.30 MAX2High Output Curren
kra221m-kra226m 1.pdf

SEMICONDUCTOR KRA221M~KRA226MTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORHIGH CURRENT SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. BFEATURES With Built-in Bias Resistors.DIM MILLIMETERSOSimplify Circuit Design.A 3.20 MAXHM B 4.30 MAXReduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process.C 0.55 MAXHigh Output Current :-800mA. _D
kra221-kra226.pdf

SEMICONDUCTOR KRA221~KRA226TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORHIGH CURRENT SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B CFEATURES With Built-in Bias Resistors.Simplify Circuit Design.Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process.N DIM MILLIMETERSA 4.70 MAXEKHigh Output Current :-800mA.B 4.80 MAXGC 3.70 MAX
Другие транзисторы... KRC285S , KRC285U , KRC286M , KRC286S , KRC286U , KRA221M , KRA221S , KRA222S , TIP122 , KRA224S , KRA225S , KRA226S , KRC241M , KRC241S , KRC242S , KRC243S , KRC244M .
History: 2SD1510 | 2PC4617J | 2SD920 | 2SC6010 | CPH3140 | AF439 | KT8130V
History: 2SD1510 | 2PC4617J | 2SD920 | 2SC6010 | CPH3140 | AF439 | KT8130V



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sa1209 | 2sc1364 replacement | 2sd665 | 7506 mosfet datasheet | 2sb1186a | a1695 datasheet | 3415 transistor | 072ne6pt