KRA226S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KRA226S  📄📄 

Маркировка: PV

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.22

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 56

Корпус транзистора: SOT-23

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KRA226S

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KRA226S даташит

 0.1. Size:382K  kec
 kra222s-kra226s.pdf pdf_icon

KRA226S

SEMICONDUCTOR KRA222S KRA226S TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. FEATURES E With Built-in Bias Resistors. L B L DIM MILLIMETERS Simplify Circuit Design. _ + A 2.93 0.20 B 1.30+0.20/-0.15 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. C 1.30 MAX 2 High Output Curren

 0.2. Size:417K  kec
 kra221s-kra226s.pdf pdf_icon

KRA226S

SEMICONDUCTOR KRA221S KRA226S TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. E L B L FEATURES DIM MILLIMETERS _ + A 2.93 0.20 With Built-in Bias Resistors. B 1.30+0.20/-0.15 C 1.30 MAX Simplify Circuit Design. 2 3 D 0.40+0.15/-0.05 E 2.40+0.30/-0.20 Reduce a Quantity of Parts and Man

 8.1. Size:76K  kec
 kra221m-kra226m.pdf pdf_icon

KRA226S

SEMICONDUCTOR KRA221M KRA226M TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B FEATURES With Built-in Bias Resistors. DIM MILLIMETERS O Simplify Circuit Design. A 3.20 MAX H M B 4.30 MAX Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. C 0.55 MAX _ D 2.40 + 0.15 High Output Current -8

 8.2. Size:417K  kec
 kra221m-kra226m 1.pdf pdf_icon

KRA226S

SEMICONDUCTOR KRA221M KRA226M TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B FEATURES With Built-in Bias Resistors. DIM MILLIMETERS O Simplify Circuit Design. A 3.20 MAX H M B 4.30 MAX Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. C 0.55 MAX High Output Current -800mA. _ D

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: KRC286S, KRC286U, KRA221M, KRA221S, KRA222S, KRA223S, KRA224S, KRA225S, 2N3906, KRC241M, KRC241S, KRC242S, KRC243S, KRC244M, KRC244S, KRC245S, KRC246S