Справочник транзисторов. KRC241M

 

Биполярный транзистор KRC241M - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: KRC241M
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 1 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 1 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 33
   Корпус транзистора: TO-92M

 Аналоги (замена) для KRC241M

 

 

KRC241M Datasheet (PDF)

 0.1. Size:109K  kec
krc241m-krc246m 1.pdf

KRC241M
KRC241M

SEMICONDUCTOR KRC241M~KRC246MTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORHIGH CURRENT SWITCHING APPLICATION.INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. BFEATURES With Built-in Bias Resistors. Simplify Circuit Design.DIM MILLIMETERSOA 3.20 MAX Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process.HM B 4.30 MAXC 0.55 MAX High Output Current : 800mA._D 2.4

 0.2. Size:417K  kec
krc241m-krc246m.pdf

KRC241M
KRC241M

SEMICONDUCTOR KRC241M~KRC246MTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORHIGH CURRENT SWITCHING APPLICATION.INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. BFEATURES With Built-in Bias Resistors.Simplify Circuit Design.DIM MILLIMETERSOA 3.20 MAXReduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process.HM B 4.30 MAXC 0.55 MAXHigh Output Current : 800mA._D

 8.1. Size:65K  kec
krc241-krc246.pdf

KRC241M
KRC241M

SEMICONDUCTOR KRC241~KRC246TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORHIGH CURRENT SWITCHING APPLICATION.INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B CFEATURES With Built-in Bias Resistors.Simplify Circuit Design.Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process.N DIM MILLIMETERSA 4.70 MAXHigh Output Current : 800mA. EKB 4.80 MAXGC 3.70 MAXD

 8.2. Size:418K  kec
krc241s-krc246s 1.pdf

KRC241M
KRC241M

SEMICONDUCTOR KRC241S~KRC246STECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORHIGH CURRENT SWITCHING APPLICATION.INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. EL B LFEATURES DIM MILLIMETERS_+With Built-in Bias Resistors. A 2.93 0.20B 1.30+0.20/-0.15Simplify Circuit Design.C 1.30 MAX23 D 0.40+0.15/-0.05Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process.

 8.3. Size:384K  kec
krc241s-krc246s.pdf

KRC241M
KRC241M

SEMICONDUCTOR KRC241S~KRC246STECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORHIGH CURRENT SWITCHING APPLICATION.INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. EL B LFEATURES DIM MILLIMETERS_+With Built-in Bias Resistors. A 2.93 0.20B 1.30+0.20/-0.15Simplify Circuit Design.C 1.30 MAX23 D 0.40+0.15/-0.05Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process.

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top