KRC241M datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KRC241M  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 1 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 1 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 33

Корпус транзистора: TO-92M

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KRC241M

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KRC241M даташит

 0.1. Size:109K  kec
 krc241m-krc246m 1.pdf pdf_icon

KRC241M

SEMICONDUCTOR KRC241M KRC246M TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B FEATURES With Built-in Bias Resistors. Simplify Circuit Design. DIM MILLIMETERS O A 3.20 MAX Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. H M B 4.30 MAX C 0.55 MAX High Output Current 800mA. _ D 2.4

 0.2. Size:417K  kec
 krc241m-krc246m.pdf pdf_icon

KRC241M

SEMICONDUCTOR KRC241M KRC246M TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B FEATURES With Built-in Bias Resistors. Simplify Circuit Design. DIM MILLIMETERS O A 3.20 MAX Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. H M B 4.30 MAX C 0.55 MAX High Output Current 800mA. _ D

 8.1. Size:65K  kec
 krc241-krc246.pdf pdf_icon

KRC241M

SEMICONDUCTOR KRC241 KRC246 TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B C FEATURES With Built-in Bias Resistors. Simplify Circuit Design. Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. N DIM MILLIMETERS A 4.70 MAX High Output Current 800mA. E K B 4.80 MAX G C 3.70 MAX D

 8.2. Size:418K  kec
 krc241s-krc246s 1.pdf pdf_icon

KRC241M

SEMICONDUCTOR KRC241S KRC246S TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. E L B L FEATURES DIM MILLIMETERS _ + With Built-in Bias Resistors. A 2.93 0.20 B 1.30+0.20/-0.15 Simplify Circuit Design. C 1.30 MAX 2 3 D 0.40+0.15/-0.05 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process.

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: KRC286U, KRA221M, KRA221S, KRA222S, KRA223S, KRA224S, KRA225S, KRA226S, A1941, KRC241S, KRC242S, KRC243S, KRC244M, KRC244S, KRC245S, KRC246S, 2SC5523