Биполярный транзистор KTC3770F Даташит. Аналоги
Наименование производителя: KTC3770F
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.05 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 7000 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
Корпус транзистора: TFSM
- подбор биполярного транзистора по параметрам
KTC3770F Datasheet (PDF)
ktc3770f.pdf

SEMICONDUCTOR KTC3770FTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORVHF/UHF WIDE BAND AMPLIFIER APPLICATION.FEATURESELow Noise Figure, High Gain.BNF=1.1dB, |S21e|2=11dB (f=1GHz).DIM MILLIMETERS2_A 0.6 + 0.053 _+B 0.8 0.05C 0.38+0.02/-0.041MAXIMUM RATING (Ta=25)_+D 0.2 0.05_+E 1.0 0.05CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT_+G 0.35 0.05_
ktc3770t.pdf

SEMICONDUCTOR KTC3770TTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORVHF/UHF WIDE BAND AMPLIFIER APPLICATION.EBFEATURES KDIM MILLIMETERSLow Noise Figure, High Gain._A 2.9 + 0.2B 1.6+0.2/-0.1NF=1.1dB, |S21e|2=11dB (f=1GHz)._C 0.70 + 0.0523_D 0.4 + 0.1E 2.8+0.2/-0.3_F 1.9 + 0.21G 0.95_H 0.16 + 0.05MAXIMUM RATING (Ta=25 )I 0.00-0.10J 0.25+0.25/-
ktc3770u.pdf

SEMICONDUCTOR KTC3770UTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORVHF/UHF WIDE BAND AMPLIFIER APPLICATION.EFEATURESM B MDIM MILLIMETERSLow Noise Figure, High Gain._A 2.00 0.20+D2NF=1.1dB, |S21e|2=11dB (f=1GHz). _+B 1.25 0.15_C 0.90 + 0.1031D 0.3+0.10/-0.05_+E 2.10 0.20G 0.65H 0.15+0.1/-0.06J 1.30MAXIMUM RATING (Ta=25 )K 0.00-0.10L 0.70
ktc3770v.pdf

SEMICONDUCTOR KTC3770VTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORVHF/UHF WIDE BAND AMPLIFIER APPLICATION.EFEATURESBLow Noise Figure, High Gain.NF=1.1dB, |S21e|2=11dB (f=1GHz).DIM MILLIMETERS2_A 1.2 + 0.05_B 0.8 + 0.0513_C 0.5 + 0.05_D 0.3 + 0.05_E 1.2 + 0.05MAXIMUM RATING (Ta=25 ) _G 0.8 + 0.05H 0.40P P_J 0.12 + 0.05CHARACTERISTIC SYMBO
Другие транзисторы... HA9079 , HA9500 , HA9501 , HA9502 , HA9531 , HA9531A , HA9532 , HA9532A , D667 , HCT2907A , HCT2907M , HDA412 , HDA420 , HDA496 , HEP637 , HEPG0001 , HEPG0002 .
History: BF760EA | KT704V | C945-MS | GES2904A | KTC4347 | UMB6N | KT815B
History: BF760EA | KT704V | C945-MS | GES2904A | KTC4347 | UMB6N | KT815B



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
b754 transistor | 2sc828 equivalent | 4843ns | 2sc1318 datasheet | 2sc3281 datasheet | 2sa1106 | 2sb56 | 2sc1451 datasheet