KTC3552T. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: KTC3552T
Маркировка: HL
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 380 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 13 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200
Корпус транзистора: TSM
Аналоги (замена) для KTC3552T
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
KTC3552T даташит
ktc3552t.pdf
SEMICONDUCTOR KTC3552T TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR DC-DC CONVERTERS RELAY DRIVERS, LAMP DRIVERS, MOTOR DRIVERS, STROBES APPLICATION. E B FEATURES K DIM MILLIMETERS Adoption of FBET, MBIT Processes. _ A 2.9 + 0.2 B 1.6+0.2/-0.1 High Current Capacitance. _ C 0.70 + 0.05 2 3 Low Collector-to-Emitter Saturation Voltage. _ D 0.4 + 0.1 E 2.8+0.2/-0.3 Hig
ktc3553t.pdf
SEMICONDUCTOR KTC3553T TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR RELAY DRIVERS, LAMP DRIVERS, MOTOR DRIVERS AND STROBES APPLICATION. E B FEATURES K DIM MILLIMETERS Adoption of MBIT Processes. _ A 2.9 + 0.2 B 1.6+0.2/-0.1 High Current Capacitance. _ C 0.70 + 0.05 2 3 Low Collector-to-Emitter Saturation Voltage. _ D 0.4 + 0.1 E 2.8+0.2/-0.3 Ultrasmall-Sized Package permit
ktc3551t.pdf
SEMICONDUCTOR KTC3551T TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR RELAY DRIVERS, LAMP DRIVERS, MOTOR DRIVERS APPLICATION. E B FEATURES K DIM MILLIMETERS Adoption of MBIT Processes. _ A 2.9 + 0.2 B 1.6+0.2/-0.1 Large Current Capacitance. _ C 0.70 + 0.05 2 3 Low Collector-to-Emitter Saturation Voltage. _ D 0.4 + 0.1 E 2.8+0.2/-0.3 High-Speed Switching. _ F 1.9 + 0.2 1
ktc3551t.pdf
SMD Type Transistors NPN Transistors KTC3551T SOT-23 Unit mm +0.1 2.9-0.1 +0.1 0.4 -0.1 3 Features Adoption of MBIT Processes. Large Current Capacitance. 1 2 +0.1 +0.05 0.95 -0.1 0.1 -0.01 Low Collector-to-Emitter Saturation Voltage. 1.9+0.1 -0.1 High-Speed Switching. High Allowable Power Dis sipation. 1.Base Complementary to KTA1551T. 2.
Другие транзисторы: KRC113M, KRC114, KRC114M, KRC160F, KRC161F, KRC163F, KRC164F, KRC234M, 2222A, KTC3571S, KTC3572, KRA110M, KRA111M, KRA114M, KRA119S, KRA160F, KRA161F
History: 2SC843 | BD134
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
a1175 transistor | 2sc1678 | irf4115 | 2sc828 replacement | 2sd669 datasheet | c102 transistor | bt152 datasheet | 2sa1302 datasheet




