KRA163F datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KRA163F  📄📄 

Маркировка: GN

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 22 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.05 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.2 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 300

Корпус транзистора: TFSM

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KRA163F

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KRA163F даташит

 9.1. Size:386K  kec
 kra160f-kra164f.pdf pdf_icon

KRA163F

SEMICONDUCTOR KRA160F KRA164F EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR TECHNICAL DATA SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. FEATURES E With Built-in Bias Resistors. B Simplify Circuit Design. Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. Thin Fine Pitch Small Package. DIM MILLIMETERS 2 _ A 0.6 + 0.05 3 _ + B 0.8 0.05 C 0.38+0.02/-0.0

Другие транзисторы: KTC3571S, KTC3572, KRA110M, KRA111M, KRA114M, KRA119S, KRA160F, KRA161F, BC556, KRA164F, KRC119S, KTA1571S, KTA1572, KRA101, KRA101M, KRA102, KRA102M