KRA102M datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: KRA102M 📄📄
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50
Корпус транзистора: TO-92M
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для KRA102M
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
KRA102M даташит
kra107m-kra109m.pdf
SEMICONDUCTOR KRA107M KRA109M TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B FEATURES With Built-in Bias Resistors Simplify Circuit Design DIM MILLIMETERS O A 3.20 MAX Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process H M B 4.30 MAX C 0.55 MAX _ D 2.40 + 0.15 E 1.27 F 2.30 C _ + G 14.00
kra107s-kra109s.pdf
SEMICONDUCTOR KRA107S KRA109S TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. E L B L FEATURES DIM MILLIMETERS _ + A 2.93 0.20 With Built-in Bias Resistors. B 1.30+0.20/-0.15 C 1.30 MAX Simplify Circuit Design. 2 3 D 0.40+0.15/-0.05 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. E 2.40+0.30
kra107-kra109.pdf
SEMICONDUCTOR KRA107 KRA109 TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B C FEATURES With Built-in Bias Resistors Simplify Circuit Design Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process N DIM MILLIMETERS A 4.70 MAX E K B 4.80 MAX G C 3.70 MAX D D 0.45 E 1.00 F 1.27 G 0.85 EQUIVALENT CI
kra101s-kra106s.pdf
SEMICONDUCTOR KRA101S KRA106S TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. E L B L FEATURES DIM MILLIMETERS With Built-in Bias Resistors. _ + A 2.93 0.20 B 1.30+0.20/-0.15 Simplify Circuit Design. C 1.30 MAX 2 3 D 0.40+0.15/-0.05 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. E 2.40+0.30/-0
Другие транзисторы: KRA163F, KRA164F, KRC119S, KTA1571S, KTA1572, KRA101, KRA101M, KRA102, 2SC828, KRA103M, KRA104M, KRA105M, KRA106M, KRA107M, KRA108M, KRA116M, KRA118M
Параметры биполярного транзистора и их взаимосвязь
History: KT8225A | RN1965
🌐 : EN
ES
РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
Popular searches
2sc3792 | mps2907a transistor equivalent | 2sc1626 | b560 transistor | 2sc632a | c3856 | 30100 transistor | 2sc1675







