KRA222M datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KRA222M  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 2.2 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 39

Корпус транзистора: TO-92M

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KRA222M

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KRA222M даташит

 8.1. Size:382K  kec
 kra222s-kra226s.pdf pdf_icon

KRA222M

SEMICONDUCTOR KRA222S KRA226S TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. FEATURES E With Built-in Bias Resistors. L B L DIM MILLIMETERS Simplify Circuit Design. _ + A 2.93 0.20 B 1.30+0.20/-0.15 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. C 1.30 MAX 2 High Output Curren

 9.1. Size:76K  kec
 kra221m-kra226m.pdf pdf_icon

KRA222M

SEMICONDUCTOR KRA221M KRA226M TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B FEATURES With Built-in Bias Resistors. DIM MILLIMETERS O Simplify Circuit Design. A 3.20 MAX H M B 4.30 MAX Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. C 0.55 MAX _ D 2.40 + 0.15 High Output Current -8

 9.2. Size:417K  kec
 kra221m-kra226m 1.pdf pdf_icon

KRA222M

SEMICONDUCTOR KRA221M KRA226M TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B FEATURES With Built-in Bias Resistors. DIM MILLIMETERS O Simplify Circuit Design. A 3.20 MAX H M B 4.30 MAX Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. C 0.55 MAX High Output Current -800mA. _ D

 9.3. Size:65K  kec
 kra221-kra226.pdf pdf_icon

KRA222M

SEMICONDUCTOR KRA221 KRA226 TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B C FEATURES With Built-in Bias Resistors. Simplify Circuit Design. Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. N DIM MILLIMETERS A 4.70 MAX E K High Output Current -800mA. B 4.80 MAX G C 3.70 MAX

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: KRA108M, KRA116M, KRA118M, KRA119M, KRA152F, KRA153F, KRA158F, KRA159F, BC547, KRA223M, KRA224M, KRA225M, KRA226M, KRC101, KRC101M, KRC102, KRC102M