KRC101M datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KRC101M  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 4.7 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO-92M

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KRC101M

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KRC101M даташит

 0.1. Size:426K  kec
 krc101m-krc106m.pdf pdf_icon

KRC101M

SEMICONDUCTOR KRC101M KRC106M TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B FEATURES With Built-in Bias Resistors. Simplify Circuit Design. DIM MILLIMETERS O A 3.20 MAX Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. H M B 4.30 MAX C 0.55 MAX _ D 2.40 + 0.15 E 1.27 F 2.30 C _ + G 14.

 8.1. Size:401K  kec
 krc101-krc106.pdf pdf_icon

KRC101M

SEMICONDUCTOR KRC101 KRC106 TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B C FEATURES With Built-in Bias Resistors. Simplify Circuit Design. Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. N DIM MILLIMETERS A 4.70 MAX E K B 4.80 MAX G C 3.70 MAX D D 0.45 E 1.00 F 1.27 G 0.85 H 0.45 _

 8.2. Size:391K  kec
 krc101s-krc106s.pdf pdf_icon

KRC101M

SEMICONDUCTOR KRC101S KRC106S TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. E L B L FEATURES DIM MILLIMETERS With Built-in Bias Resistors. _ + A 2.93 0.20 B 1.30+0.20/-0.15 Simplify Circuit Design. C 1.30 MAX 2 3 D 0.40+0.15/-0.05 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. E 2.40+0.30/

 8.3. Size:391K  kec
 krc101s krc102s krc103s krc104s krc105s krc106s.pdf pdf_icon

KRC101M

SEMICONDUCTOR KRC101S KRC106S TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. E L B L FEATURES DIM MILLIMETERS With Built-in Bias Resistors. _ + A 2.93 0.20 B 1.30+0.20/-0.15 Simplify Circuit Design. C 1.30 MAX 2 3 D 0.40+0.15/-0.05 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. E 2.40+0.30/

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: KRA158F, KRA159F, KRA222M, KRA223M, KRA224M, KRA225M, KRA226M, KRC101, 2N5551, KRC102, KRC102M, KRC103, KRC103M, KRC104, KRC104M, KRC105, KRC105M