KRC109M datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KRC109M  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 22 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 2.1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: TO-92M

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KRC109M

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KRC109M даташит

 0.1. Size:391K  kec
 krc107m-krc109m.pdf pdf_icon

KRC109M

SEMICONDUCTOR KRC107M KRC109M TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B FEATURES With Built-in Bias Resistors Simplify Circuit Design DIM MILLIMETERS O A 3.20 MAX Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process H M B 4.30 MAX C 0.55 MAX _ D 2.40 + 0.15 E 1.27 F 2.30 C _ + G 14.00

 8.1. Size:378K  kec
 krc107-krc109.pdf pdf_icon

KRC109M

SEMICONDUCTOR KRC107 KRC109 TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B C FEATURES With Built-in Bias Resistors Simplify Circuit Design Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process N DIM MILLIMETERS A 4.70 MAX E K B 4.80 MAX G C 3.70 MAX D D 0.45 E 1.00 F 1.27 G 0.85 H 0.45 _ H

 8.2. Size:369K  kec
 krc107s-krc109s.pdf pdf_icon

KRC109M

SEMICONDUCTOR KRC107S KRC109S TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. E L B L FEATURES DIM MILLIMETERS _ With Built-in Bias Resistors. A 2.93 0.20 + B 1.30+0.20/-0.15 Simplify Circuit Design. C 1.30 MAX 2 3 D 0.40+0.15/-0.05 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. E 2.40+0.30/

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: KRC105M, KRC106, KRC106M, KRC107, KRC107M, KRC108, KRC108M, KRC109, D882, KRC116, KRC116M, KRC117, KRC118, KRC119, KRC119M, KRC120, KRC121