KRC116M datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KRC116M  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 1 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 33

Корпус транзистора: TO-92M

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KRC116M

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KRC116M даташит

 0.1. Size:437K  kec
krc116m-krc122m.pdfpdf_icon

KRC116M

SEMICONDUCTOR KRC116M KRC122M TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION B FEATURES With Built-in Bias Resistors. DIM MILLIMETERS O Simplify Circuit Design. A 3.20 MAX H M B 4.30 MAX Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. C 0.55 MAX _ D 2.40 + 0.15 E 1.27 F 2.30 C _ + G 14.00 0

 8.1. Size:404K  kec
krc116-krc122.pdfpdf_icon

KRC116M

SEMICONDUCTOR KRC116 KRC122 TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION B C FEATURES With Built-in Bias Resistors. Simplify Circuit Design. Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. N DIM MILLIMETERS A 4.70 MAX E K B 4.80 MAX G C 3.70 MAX D D 0.45 E 1.00 F 1.27 G 0.85 H 0.45 _ H

 8.2. Size:428K  kec
krc116s-krc122s.pdfpdf_icon

KRC116M

SEMICONDUCTOR KRC116S KRC122S TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION E L B L FEATURES DIM MILLIMETERS _ + A 2.93 0.20 With Built-in Bias Resistors. B 1.30+0.20/-0.15 Simplify Circuit Design. C 1.30 MAX 2 3 D 0.40+0.15/-0.05 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. E 2.40+0.30/-0.2

 8.3. Size:853K  kexin
krc116s-122s.pdfpdf_icon

KRC116M

SMD Type Transistors NPN Transistors KRC116S KRC122S SOT-23 Unit mm +0.1 2.9 -0.1 +0.1 0.4 -0.1 3 Features With Built in Bias Resistors Simplify Circuit Design 1 2 +0.1 +0.05 0.95-0.1 0.1-0.01 Reduce a Quantity of Parts and Manufaturing Process +0.1 1.9-0.1 Digital Transistors 1.IN 2.Common 3.OUT OUT R1 IN R2 COMMON Absolute Maximum Rat

Другие транзисторы: KRC106M, KRC107, KRC107M, KRC108, KRC108M, KRC109, KRC109M, KRC116, TIP42C, KRC117, KRC118, KRC119, KRC119M, KRC120, KRC121, KRC122, KRC151F