KRC121 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KRC121  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 4.7

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 33

Корпус транзистора: TO-92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KRC121

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KRC121 даташит

 9.1. Size:404K  kec
 krc116-krc122.pdf pdf_icon

KRC121

SEMICONDUCTOR KRC116 KRC122 TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION B C FEATURES With Built-in Bias Resistors. Simplify Circuit Design. Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. N DIM MILLIMETERS A 4.70 MAX E K B 4.80 MAX G C 3.70 MAX D D 0.45 E 1.00 F 1.27 G 0.85 H 0.45 _ H

 9.2. Size:437K  kec
 krc116m-krc122m.pdf pdf_icon

KRC121

SEMICONDUCTOR KRC116M KRC122M TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION B FEATURES With Built-in Bias Resistors. DIM MILLIMETERS O Simplify Circuit Design. A 3.20 MAX H M B 4.30 MAX Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. C 0.55 MAX _ D 2.40 + 0.15 E 1.27 F 2.30 C _ + G 14.00 0

 9.3. Size:428K  kec
 krc116s-krc122s.pdf pdf_icon

KRC121

SEMICONDUCTOR KRC116S KRC122S TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION E L B L FEATURES DIM MILLIMETERS _ + A 2.93 0.20 With Built-in Bias Resistors. B 1.30+0.20/-0.15 Simplify Circuit Design. C 1.30 MAX 2 3 D 0.40+0.15/-0.05 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. E 2.40+0.30/-0.2

Другие транзисторы: KRC109M, KRC116, KRC116M, KRC117, KRC118, KRC119, KRC119M, KRC120, 2SD718, KRC122, KRC151F, KRC153F, KRC154F, KRC159F, KRC241, KRC242, KRC242M