Биполярный транзистор KRC151F - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: KRC151F
Маркировка: FA
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 4.7 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.05 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
Корпус транзистора: TFSM
KRC151F Datasheet (PDF)
krc151f krc152f krc153f krc154f.pdf
SEMICONDUCTOR KRC151F~KRC154FTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORSWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. FEATURES EWith Built-in Bias Resistors.BSimplify Circuit Design.Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process.Thin Fine Pitch Small Package. DIM MILLIMETERS2_A 0.6 + 0.053 _+B 0.8 0.05C 0.38+0.02/-0.0
krc151f-krc154f.pdf
SEMICONDUCTOR KRC151F~KRC154FTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORSWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. FEATURES EWith Built-in Bias Resistors.BSimplify Circuit Design.Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process.Thin Fine Pitch Small Package. DIM MILLIMETERS2_A 0.6 + 0.053 _+B 0.8 0.05C 0.38+0.02/-0.0
krc157f-krc159f.pdf
SEMICONDUCTOR KRC157F~KRC159FTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORSWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. FEATURES EWith Built-in Bias Resistors.BSimplify Circuit Design.Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process.Thin Fine Pitch Small Package. DIM MILLIMETERS2_A 0.6 + 0.053 _+B 0.8 0.05C 0.38+0.02/-0.0
krc157f krc158f krc159f.pdf
SEMICONDUCTOR KRC157F~KRC159FTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORSWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. FEATURES EWith Built-in Bias Resistors.BSimplify Circuit Design.Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process.Thin Fine Pitch Small Package. DIM MILLIMETERS2_A 0.6 + 0.053 _+B 0.8 0.05C 0.38+0.02/-0.041_
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D209L , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050