KRX210T datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: KRX210T 📄📄
Маркировка: MN
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1(0.8) A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50(56)
Корпус транзистора: TS6
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для KRX210T
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
KRX210T даташит
krx210t.pdf
KRX210T SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN/PNP TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. E K B K FEATURES DIM MILLIMETERS _ Including two devices in TS6. A 2.9 + 0.2 16 B 1.6+0.2/-0.1 With Built-in bias resistors. _ C 0.70 + 0.05 2 5 _ + D 0.4 0.1 Simplify circuit design. E 2.8+0.2/-0.3 _ Reduce a quantit
krx210e.pdf
KRX210E SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN/PNP TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B B1 FEATURES Including two devices in TES6. 1 6 DIM MILLIMETERS With Built-in bias resistors. _ A 1.6 + 0.05 _ A1 1.0 + 0.05 Simplify circuit design. 5 2 _ B 1.6 + 0.05 _ B1 1.2 + 0.05 Reduce a quantity of parts and manufacturing
krx214u.pdf
KRX214U SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B FEATURES B1 Including two devices in US6. DIM MILLIMETERS 1 6 _ (Ultra Super mini type with 6 leads.) A 2.00 + 0.20 _ + 2 5 A1 1.3 0.1 With Built-in bias resistors. _ B 2.1 + 0.1 3 4 D _ B1 1.25 0.1 + Simplify circuit design.
krx212u.pdf
KRX212U SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B FEATURES B1 Including two devices in US6. DIM MILLIMETERS 1 6 _ (Ultra Super mini type with 6 leads.) A 2.00 + 0.20 _ + 2 5 A1 1.3 0.1 With Built-in bias resistors. _ B 2.1 + 0.1 3 4 D _ B1 1.25 0.1 + Simplify circuit design.
Другие транзисторы: KRC242M, KRC243, KRC243M, KRC244, KRC245, KRC245M, KRC246, KRC246M, TIP35C, 2SA1036KQLT1, 2SA1036KRLT1, 2SA1037AKQLT1, 2SA1037AKRLT1, 2SA1037AKSLT1, 2SA1576AQT1, 2SA1576ART1, 2SA812QLT1
Параметры биполярного транзистора и их взаимосвязь
History: 2SA1706S-AN | FFB2907A | RN2418 | 2N5813 | STC03DE220HP | BFV27 | RN2905AFS
🌐 : EN
ES
РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
Popular searches
2sb649a | 2sd188 | k b778 transistor | 2n5133 datasheet | 2sa726 transistor | 7506 mosfet | irlr8726 datasheet | ru7088r mosfet





