H2N5087 - описание и поиск аналогов

 

H2N5087. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: H2N5087

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 250

Корпус транзистора: TO-92

 Аналоги (замена) для H2N5087

- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

H2N5087 даташит

 ..1. Size:49K  hsmc
 h2n5087.pdf pdf_icon

H2N5087

Spec. No. HE6210 HI-SINCERITY Issued Date 1998.02.01 Revised Date 2005.01.20 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/5 H2N5087 PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description This device was designed for low noise,high gain,general purpose amplifier applications for 1uA to 25mA collector current. TO-92 Absolute Maximum Ratings Maximum Temperatures Storage Temperature ...........

Другие транзисторы... MMBT5551WT1 , MMBTA94LT1 , MMBTH10LT1 , H2584 , H2N3904 , H2N3906 , H2N4401 , H2N4403 , BC548 , H2N5401 , H2N5551 , H2N6388 , H2N6718L , H2N6718T , H2N6718V , HA3669 , HA8050 .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.