HA8050S - описание и поиск аналогов

 

HA8050S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HA8050S

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.7 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO-92

 Аналоги (замена) для HA8050S

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HA8050S даташит

 ..1. Size:54K  hsmc
 ha8050s.pdf pdf_icon

HA8050S

Spec. No. HE6116 HI-SINCERITY Issued Date 1997.09.08 Revised Date 2005.01.20 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/5 HA8050S NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The HA8550S is designed for general purpose amplifier applications. TO-92 Features High DC Current Gain (hFE=100 500 at IC=150mA) Complementary to HA8550S Absolute Maximum Ratings Maximum Temperatu

 8.1. Size:54K  hsmc
 ha8050.pdf pdf_icon

HA8050S

Spec. No. HE6107 HI-SINCERITY Issued Date 1998.09.05 Revised Date 2004.11.29 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/5 HA8050 NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The HA8050 is designed for use in 2W output amplifier of portable radios in class B push-pull operation. TO-92 Features High total power dissipation (PT 2W, TC=25 C) High collector current (IC 1.5A)

Другие транзисторы: H2N5401, H2N5551, H2N6388, H2N6718L, H2N6718T, H2N6718V, HA3669, HA8050, BD140, HA8550, HA8550S, HBC517, HBC847, HBC848, HBC856, HBD437T, HBD438T

 

 

 

 

↑ Back to Top
.