HBC517 - описание и поиск аналогов

 

HBC517. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HBC517

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 220 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30000

Корпус транзистора: TO-92

 Аналоги (замена) для HBC517

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HBC517 даташит

 ..1. Size:45K  hsmc
 hbc517.pdf pdf_icon

HBC517

Spec. No. HA200217 HI-SINCERITY Issued Date 2002.09.01 Revised Date 2005.02.04 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/4 HBC517 NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description General Purpose High Darlington Transistor TO-92 Absolute Maximum Ratings Maximum Temperatures Storage Temperature ...........................................................................................

Другие транзисторы: H2N6718L, H2N6718T, H2N6718V, HA3669, HA8050, HA8050S, HA8550, HA8550S, BC557, HBC847, HBC848, HBC856, HBD437T, HBD438T, HBF422, HBF423, HD122

 

 

 

 

↑ Back to Top
.