HBF422 - описание и поиск аналогов

 

HBF422. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HBF422

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: TO-92

 Аналоги (замена) для HBF422

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HBF422 даташит

 ..1. Size:45K  hsmc
 hbf422.pdf pdf_icon

HBF422

Spec. No. HE6404 HI-SINCERITY Issued Date 1993.03.18 Revised Date 2004.06.18 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/4 HBF422 NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description Video B-class Power stages in TV-receivers TO-92 Absolute Maximum Ratings Maximum Temperatures Storage Temperature ............................................................................................

 9.1. Size:44K  hsmc
 hbf423.pdf pdf_icon

HBF422

Spec. No. HE6403 HI-SINCERITY Issued Date 1993.03.18 Revised Date 2003.06.18 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/4 HBF423 PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description Video B-class Power stages in TV-receivers TO-92 Absolute Maximum Ratings Maximum Temperatures Storage Temperature .............................................................................................

Другие транзисторы: HA8550, HA8550S, HBC517, HBC847, HBC848, HBC856, HBD437T, HBD438T, 2N2222A, HBF423, HD122, HE8050, HE8050S, HE8550, HE8550S, HE9014, HE9015

 

 

 

 

↑ Back to Top
.