Биполярный транзистор HI772 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: HI772
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 55 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: TO-251
HI772 Datasheet (PDF)
..1. Size:60K hsmc
hi772.pdf
hi772.pdf
Spec. No. : HE9015 HI-SINCERITY Issued Date : 1996.04.12 Revised Date : 2006.12.06 MICROELECTRONICS CORP. Page No. : 1/5 HI772 PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The HI772 is designed for using in output stage of 10 W audio amplifier, voltage regulator, TO-251 DC-DC converter and relay driver. Absolute Maximum Ratings (T =25C) A Maximum Temperatures S
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2N3906 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050