HI772 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HI772  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 55 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO-251

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для HI772

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HI772 даташит

 ..1. Size:60K  hsmc
 hi772.pdf pdf_icon

HI772

Spec. No. HE9015 HI-SINCERITY Issued Date 1996.04.12 Revised Date 2006.12.06 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/5 HI772 PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The HI772 is designed for using in output stage of 10 W audio amplifier, voltage regulator, TO-251 DC-DC converter and relay driver. Absolute Maximum Ratings (T =25 C) A Maximum Temperatures S

Другие транзисторы: HI112, HI117, HI122, HI127, HI13003, HI3669, HI649A, HI669A, BD135, HI882, HJ10387, HJ112, HJ117, HJ122, HJ127, HJ13003, HJ3669