Биполярный транзистор HJ127 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: HJ127
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 300 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
Корпус транзистора: TO-252
- подбор биполярного транзистора по параметрам
HJ127 Datasheet (PDF)
hj127.pdf

Spec. No. : HE6017HI-SINCERITYIssued Date : 1996.04.12Revised Date : 2005.07.14MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HJ127PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescription TO-252 High DC current gain Built-in a damper diode at E-C Darlington SchematicCAbsolute Maximum Ratings (TA=25C)B Maximum TemperaturesStorage Temperature ......................................
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2SD1047 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
History: 2SC5405 | D38L6 | GES3250A | FE4021 | BSYP62 | TFN817 | L2SA812SLT3G
History: 2SC5405 | D38L6 | GES3250A | FE4021 | BSYP62 | TFN817 | L2SA812SLT3G



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc984 replacement | a1046 transistor | hy19p03 | 2sk2749 | c2577 transistor | k3563 transistor | 2sc1775 datasheet | j377 transistor datasheet