HJ772 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HJ772  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 55 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO-252

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для HJ772

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HJ772 даташит

 ..1. Size:65K  hsmc
 hj772.pdf pdf_icon

HJ772

Spec. No. HE6015 HI-SINCERITY Issued Date 1996.04.12 Revised Date 2008.06.19 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/5 HJ772 PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The HJ772 is designed for using in output stage of 10 W audio amplifier, voltage regulator, DC-DC converter and relay driver. TO-252 Absolute Maximum Ratings (TA=25 C) Maximum Temperatures Stor

Другие транзисторы: HJ112, HJ117, HJ122, HJ127, HJ13003, HJ3669, HJ667A, HJ669A, TIP42, HJ882, HLB120A, HLB121A, HLB121D, HLB121I, HLB122I, HLB123D, HLB123I