Справочник транзисторов. HLB120A

 

Биполярный транзистор HLB120A Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: HLB120A
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
   Корпус транзистора: TO-92
 

 Аналог (замена) для HLB120A

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HLB120A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:45K  hsmc
hlb120a.pdfpdf_icon

HLB120A

Spec. No. : HE6412HI-SINCERITYIssued Date : 1998.12.01Revised Date : 2005.02.05MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HLB120ANPN Triple Diffused Planar Type High Voltage TransistorsDescriptionThe HLB120A is a medium power transistor designed for use in switchingapplications.TO-92Features High Breakdown Voltage Low Collector Saturation Voltage Fast Switching S

 9.1. Size:130K  utc
hlb121.pdfpdf_icon

HLB120A

UTC HLB121 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR NPN TRIPLE DIFFUSED PLANAR TYPE HIGH VOLTAGE TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC HLB121 is a medium power transistor designed for use in switching applications. FEATURES 1* High breakdown voltage * Low collector saturation voltage * Fast switching speed TO-251 1: BASE 2: COLLECTOR 3: EMITTER *Pb-free plating product number:HLB121L

 9.2. Size:47K  hsmc
hlb123d.pdfpdf_icon

HLB120A

Spec. No. : HE6603HI-SINCERITYIssued Date : 1993.03.15Revised Date : 2005.08.16MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5HLB123DNPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe HLB123D is designed for high voltage. High speed switching inductive circuitsand amplifier applications.FeaturesTO-126ML High Speed Switching Low Saturation Voltage High ReliabilityAbsolut

 9.3. Size:51K  hsmc
hlb122i.pdfpdf_icon

HLB120A

Spec. No. : HE9030HI-SINCERITYIssued Date : 1998.07.01Revised Date : 2005.07.13MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5HLB122INPN Triple Diffused Planar Type High Voltage TransistorDescriptionThe HLB122I is a medium power transistor designed for use in switchingapplications.TO-251Features High breakdown voltage Low collector saturation voltage Fast switching s

Другие транзисторы... HJ122 , HJ127 , HJ13003 , HJ3669 , HJ667A , HJ669A , HJ772 , HJ882 , 2SC2655 , HLB121A , HLB121D , HLB121I , HLB122I , HLB123D , HLB123I , HLB123SA , HLB123T .

 

 
Back to Top

 


 
.