HM965 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HM965  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 50 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 340

Корпус транзистора: SOT-89

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для HM965

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HM965 даташит

 ..1. Size:38K  hsmc
 hm965.pdf pdf_icon

HM965

Spec. No. HE9511 HI-SINCERITY Issued Date 1996.04.12 Revised Date 2004.12.21 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/4 HM965 NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The HM965 is designed for use as AF output amplifier and glash unit. SOT-89 Features Low VCE(sat) High performance at low supply voltage Absolute Maximum Ratings Maximum Temperatures Storage Tempera

Другие транзисторы: HM5551, HM669A, HM6718, HM772, HM772A, HM882, HM92, HM94, 431, HMBT1015, HMBT1815, HMBT2222A, HMBT2369, HMBT2907A, HMBT3904, HMBT3906, HMBT4401