Биполярный транзистор HMBT5551 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: HMBT5551
Маркировка: G1
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
Корпус транзистора: SOT-23
- подбор биполярного транзистора по параметрам
HMBT5551 Datasheet (PDF)
hmbt5551.pdf

Spec. No. : HE6838HI-SINCERITYIssued Date : 1994.07.29Revised Date : 2004.09.07MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HMBT5551NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe HMBT5551 is designed for general purpose applications requiring highBreakdown Voltages.SOT-23Absolute Maximum Ratings Maximum TemperaturesStorage Temperature........................................
hmbt5551.pdf

HMBT5551NPN-TRANSISTORNPN,600mA,180V NPN NPN High Voltage Transistor SMDHMBT5551HMBT5551LT1Excellent hFE linearityNPN, BECLow noiseHigh Voltage TransistorsComplementary to HMBT5401Transistor Polarity: NPNTransistor pinout: BECMMBT5551
hmbt5401.pdf

Spec. No. : HE6819HI-SINCERITYIssued Date : 1993.06.30Revised Date : 2004.09.07MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HMBT5401PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe HMBT5401 is designed for general purpose applications requiring highbreakdown voltages.SOT-23Features High Collector-Emitter Breakdown Voltage (BVCEO=150V@IC=1mA) Complements to NPN Type HMBT555
hmbt5401.pdf

HMBT5401PNP-TRANSISTOR-500mA,-150V PNP PNP High Voltage Transistor SMDHMBT5401HMBT5401LT1Complementary to HMBT5551PNP, BECTransistor Polarity: PNPGeneral Purpose TransistorsTransistor pinout: BECSOT-23 PackageMMBT5401Marking Code:
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
History: ST2SD1664U-Q | 2SC5824 | 2N2672A | BD355C | SRC1204E | RN1912AFS
History: ST2SD1664U-Q | 2SC5824 | 2N2672A | BD355C | SRC1204E | RN1912AFS



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
40636 transistor | ao3407 datasheet | c1841 transistor | fb42n20d | irfb3306 equivalent | irfp460 характеристики | k2837 datasheet | k389 transistor