Справочник транзисторов. HMBTH10

 

Биполярный транзистор HMBTH10 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: HMBTH10
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 650 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: SOT-23
 

 Аналог (замена) для HMBTH10

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HMBTH10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:87K  hsmc
hmbth10.pdfpdf_icon

HMBTH10

Spec. No. : HN200101 HI-SINCERITY Issued Date : 2000.02.01 Revised Date : 2008.07.07 MICROELECTRONICS CORP. Page No. : 1/4 HMBTH10 NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The HMBTH10 is designed for use in VHF & UHF oscillators and VHF mixer in tuner of a TV receiver. SOT-23 Features High frequency Very low capacitance Absolute Maximum Ratings Max

Другие транзисторы... HMBT8550 , HMBTA06 , HMBTA13 , HMBTA14 , HMBTA42 , HMBTA44 , HMBTA92 , HMBTA94 , 2N3904 , HMJE13001 , HMJE13003 , HMJE13003D , HMJE13003E , HMJE13005 , HMJE13007 , HMJE13007A , HMJE13009A .

History: 2N4916 | 2N471 | CHDTA123YKGP | H2328S

 

 
Back to Top

 


 
.