Биполярный транзистор HMBTH10 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: HMBTH10
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 650 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
Корпус транзистора: SOT-23
HMBTH10 Datasheet (PDF)
..1. Size:87K hsmc
hmbth10.pdf
hmbth10.pdf
Spec. No. : HN200101 HI-SINCERITY Issued Date : 2000.02.01 Revised Date : 2008.07.07 MICROELECTRONICS CORP. Page No. : 1/4 HMBTH10 NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The HMBTH10 is designed for use in VHF & UHF oscillators and VHF mixer in tuner of a TV receiver. SOT-23 Features High frequency Very low capacitance Absolute Maximum Ratings Max
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2N3906 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050