Справочник транзисторов. HMBTH10

 

Биполярный транзистор HMBTH10 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: HMBTH10
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 650 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: SOT-23
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

HMBTH10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:87K  hsmc
 hmbth10.pdf pdf_icon

HMBTH10

Spec. No. : HN200101 HI-SINCERITY Issued Date : 2000.02.01 Revised Date : 2008.07.07 MICROELECTRONICS CORP. Page No. : 1/4 HMBTH10 NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The HMBTH10 is designed for use in VHF & UHF oscillators and VHF mixer in tuner of a TV receiver. SOT-23 Features High frequency Very low capacitance Absolute Maximum Ratings Max

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: 2N6922A | 2SC4321 | 2SA1480E | 2N1196 | 2N4355 | 2SA909 | 2SC2959

 

 
Back to Top

 


 
.