Биполярный транзистор HMBTH10 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: HMBTH10
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 650 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
Корпус транзистора: SOT-23
HMBTH10 Datasheet (PDF)
..1. Size:87K hsmc
hmbth10.pdf
hmbth10.pdf
Spec. No. : HN200101 HI-SINCERITY Issued Date : 2000.02.01 Revised Date : 2008.07.07 MICROELECTRONICS CORP. Page No. : 1/4 HMBTH10 NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The HMBTH10 is designed for use in VHF & UHF oscillators and VHF mixer in tuner of a TV receiver. SOT-23 Features High frequency Very low capacitance Absolute Maximum Ratings Max
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
