HSB772S - описание и поиск аналогов

 

HSB772S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HSB772S

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 55 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO-92

 Аналоги (замена) для HSB772S

- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HSB772S даташит

 ..1. Size:59K  hsmc
 hsb772s.pdf pdf_icon

HSB772S

Spec. No. HE6549 HI-SINCERITY Issued Date 1992.11.25 Revised Date 2004.08.13 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/5 HSB772S PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The HSB772S is designed for using in output stage of 0.75W amplifier, voltage regulator, DC-DC converter and driver. TO-92 Absolute Maximum Ratings Maximum Temperatures Storage Temperature..................

 8.1. Size:51K  hsmc
 hsb772.pdf pdf_icon

HSB772S

Spec. No. HE6605 HI-SINCERITY Issued Date 1993.05.15 Revised Date 2005.08.18 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/5 HSB772 PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The HSB772 is designed for using in output stage of 1w audio amplifier, voltage regulator, DC-DC converter and relay driver. TO-126ML Absolute Maximum Ratings (TA=25 C) Maximum Temperatures Storage Temperat

Другие транзисторы: HPN2907A , HSA1015 , HSA733 , HSB1109 , HSB1109S , HSB649A , HSB649T , HSB772 , 2SC4793 , HSB857 , HSB857D , HSB857J , HSC1815 , HSC945 , HSD1609 , HSD1609S , HSD1616A .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.