HSD882S - описание и поиск аналогов

 

HSD882S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HSD882S

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 90 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 45 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO-92

 Аналоги (замена) для HSD882S

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HSD882S даташит

 ..1. Size:55K  hsmc
 hsd882s.pdf pdf_icon

HSD882S

Spec. No. HE6544 HI-SINCERITY Issued Date 1992.11.25 Revised Date 2006.07.28 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/5 HSD882S NPN Epitaxial Planar Transistor Description The HSD882S is suited for the output stage of 0.75W audio, voltage regulator, and relay driver. TO-92 Absolute Maximum Ratings Maximum Temperatures Storage Temperature.......................................

 8.1. Size:50K  hsmc
 hsd882.pdf pdf_icon

HSD882S

Spec. No. HE6004 HI-SINCERITY Issued Date 1998.03.15 Revised Date 2005.08.15 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/5 HSD882 NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The HSD882 is designed for using in output stage of 1w audio amplifier, voltage regulator, DC-DC converter and relay driver. TO-126ML Absolute Maximum Ratings (TA=25 C) Maximum Temperatures Storage Temperat

Другие транзисторы: HSD1616A, HSD313, HSD468, HSD667A, HSD669A, HSD669AT, HSD879, HSD882, 2SC2625, HSD965, HT112, HT117, HT772, HT882, HTIP112, HTIP117, HTIP122

 

 

 

 

↑ Back to Top
.