HUN5131 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HUN5131  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 2.2 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.202 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 8

Корпус транзистора: SOT-323

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для HUN5131

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HUN5131 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: HUN2241, HUN5111, HUN5112, HUN5113, HUN5114, HUN5115, HUN5116, HUN5130, 2N3904, HUN5132, HUN5133, HUN5134, HUN5135, HUN5136, HUN5137, HUN5211, HUN5212