HUN5132 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HUN5132  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 4.7 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.202 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: SOT-323

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для HUN5132

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HUN5132 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: HUN5111, HUN5112, HUN5113, HUN5114, HUN5115, HUN5116, HUN5130, HUN5131, 2N2222, HUN5133, HUN5134, HUN5135, HUN5136, HUN5137, HUN5211, HUN5212, HUN5213