Справочник транзисторов. CD8550C

 

Биполярный транзистор CD8550C Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: CD8550C
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.7 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 35 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
   Корпус транзистора: TO-92
 

 Аналог (замена) для CD8550C

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CD8550C Datasheet (PDF)

 8.1. Size:173K  cdil
 cd8550.pdf pdf_icon

CD8550C

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyPNP SILICON PLANAR TRANSISTOR CD8550 TO-92CBEABSOLUTE MAXIMUM RATINGSDESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITCollector -Emitter Voltage VCEO 25 VCollector -Base Voltage VCBO 40 VEmitter Base Voltage VEBO 6.0 VCollector Current IC 2.0 ACollector Power Dissipation PC 1.0 WOperating And Storage Ju

Другие транзисторы... CD2328O , CD2328Y , CD2383 , CD2383O , CD2383R , CD2383Y , CD8550 , CD8550B , C945 , CD8550D , CD9011 , CD9011D , CD9011E , CD9011F , CD9011G , CD9011H , CD9011I .

 

 
Back to Top

 


 
.